排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备

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摘要

本实用新型涉及一种排气回路、半导体设备和硅深孔刻蚀设备；所述半导体设备或硅深孔刻蚀设备均包括腔室以及排气回路；所述排气回路包括真空泵、前级管路、后级管路和过滤器；前级管路分别连接腔室和真空泵的进口；后级管路分别连接真空泵的出口和废气处理装置；所述过滤器设置在前级管路上，用于过滤半导体制程反应生成物。这样做，可有效减少反应物在真空泵和管路中的累积，避免真空泵卡死，提高生产效率，降低生产成本。

基本信息

专利标题：

排气回路、半导体设备及硅深孔刻蚀设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020396540.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-25

授权号：

CN211350596U

授权日：

2020-08-25

发明人：

杨军成

申请人：

中芯集成电路制造（绍兴）有限公司

申请人地址：

浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN202020396540.7

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 B01D46/24 B01D46/42