刻蚀设备
授权
摘要
本申请实施例提供一种刻蚀设备，包括依次连接的刻蚀腔室、第一真空泵、第一排气管、第二排气管以及第二真空泵，第二排气管可拆卸地连接于第一排气管与第二真空泵之间；其中：第二排气管具有连通的第一收集管段和第二收集管段，第一收集管段具有第一端口和第二端口，第一端口与第一排气管连接；第二端口与第二收集管段相连；沿着第一端口向第二端口的方向，第一收集管段的横向截面尺寸逐渐减小。本申请提供的刻蚀设备，使废气中的可沉积物更容易附着在第二排气管的内侧壁上，在对刻蚀设备进行保养时，仅需对第二排气管进行拆卸、清理和安装，单人即可完成排气管路的维护工作，减少了人力成本和维护时间。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122629756.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216213288U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
孙康窦强王金福王涛武长炜
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京科慧致远知识产权代理有限公司
代理人 ：
王乾旭
优先权 ：
CN202122629756.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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