晶圆刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶圆刻蚀设备。该晶圆刻蚀设备包括基台、湿法刻蚀组件和热源，基台用于放置晶圆，湿法刻蚀组件用于向晶圆背面喷射腐蚀液以进行湿法刻蚀，热源用于在湿法刻蚀的过程中对晶圆正面进行加热。采用上述晶圆刻蚀设备对所述晶圆的背面进行湿法刻蚀的过程中，能够通过热源对所述晶圆的正面进行加热，提高了腐蚀液对晶圆表面的刻蚀速率，从而相对减少了湿法刻蚀的处理时间，使得腐蚀液在晶圆表面溅射的问题得到改善，同时上述加热处理使得腐蚀液对晶圆表面的刻蚀效率更为一致，从而使得刻蚀后晶圆背面的均匀性得到提高。
基本信息
专利标题 ：
晶圆刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020960987.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN212570932U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
周永平宋冬门
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王晓玲
优先权 ：
CN202020960987.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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