一种刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种刻蚀设备，包括：刻蚀腔室，供晶圆容置其中；以及遮挡装置，所述遮挡装置可移动地设置于所述刻蚀腔室内，能够分别在所述晶圆之外的主刻蚀工位和在所述晶圆上方的边缘刻蚀工位停留,当所述遮挡装置停留在所述边缘刻蚀工位时，所述遮挡装置能够对所述晶圆表面用于形成器件结构的中心区域进行遮挡，而露出所述晶圆的外缘区域，通过遮挡装置的设置，将主刻蚀功能和边缘刻蚀功能集成于同一刻蚀设备，降低了制造成本的同时，提高了晶圆的刻蚀制程效率。
基本信息
专利标题 ：
一种刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922166627.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN211062693U
授权日 ：
2020-07-21
发明人 ：
马风柱曾议锋李兴光刘家桦叶日铨
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海立群专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨楷
优先权 ：
CN201922166627.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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