刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统。所述刻蚀设备包括喷淋装置和控制装置。所述喷淋装置设于一工作台上方，并且所述喷淋装置的喷淋面与水平面之间具有一小于90°的倾斜角。所述控制装置与所述喷淋装置连接，其用于控制所述喷淋装置与所述工作台之间的距离以及所述喷淋装置的喷淋压力。所述刻蚀设备通过调整喷淋装置对应位置与工作台之间的距离以及所述喷淋装置的喷淋压力，以解决由于基板倾斜而导致刻蚀液的置换、刻蚀速度不均匀以及膜层刻蚀不均的问题。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀设备、刻蚀方法以及膜层图案化系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551298A
申请号 ：
CN202210115674.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴鉴
申请人 ：
苏州华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区方洲路338号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
唐秀萍
优先权 ：
CN202210115674.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/3213
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220207
申请日 : 20220207
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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