一体化刻蚀方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种一体化刻蚀方法，其包括以下步骤：在硬掩模NDC层上淀积LK薄膜；在LK薄膜上淀积TEOS薄膜；在TEOS薄膜上依次形成阻挡层、介质层、底部抗反射涂层、光刻胶层；做金属硬掩模刻蚀；做通孔的光刻，定义通孔图形；在光刻胶层上形成一个通孔；去除部分底部抗反射涂层；刻蚀介质层和阻挡层，后续会用于填充铜材质；用含有碳氟化合物的气体保护露出的阻挡层。本发明用含有碳氟化合物的气体保护露出的阻挡层，大幅减少阻挡层露出的面积，在后续刻蚀时，减少TixFy残留物的产生，从而根本上解决通孔开口的问题。
基本信息
专利标题 ：
一体化刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284206A
申请号 ：
CN202111525665.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汪健孟艳秋陈跃华
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202111525665.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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