本申请实施例公开了一种刻蚀托盘及刻蚀方法，该刻蚀托盘包括：下片和上片，上片覆盖下片表面，下片的材料为金、银、铜、铝中的一种，上片的材料为碳化硅、氮化铝、石墨中的一种，使得该刻蚀托盘为由散热能力较好的材料和散热能力较差的材料组成的复合托盘，刻蚀选择比调整范围更大，刻蚀角度的变化范围更大。进行刻蚀时，可以通过调整刻蚀参数，调整刻蚀选择比，实现刻蚀角度的多次变化，且变化范围较大，形成类似漏斗形状的刻蚀沟道，使得刻蚀沟道的坡度较缓。并且，利用该刻蚀托盘进行刻蚀，刻蚀角度从较大到较小，使得刻蚀沟道的底宽较小，且使得小刻蚀角度对于顶宽影响较小，使得刻蚀沟道在所述LED外延芯片的中的占比相对较小。