薄膜刻蚀方法
专利权的终止
摘要
本发明为一种薄膜刻蚀方法，是应用于一半导体或薄膜晶体管阵列(TFTArray)的薄膜制程中，用以改良现有刻蚀后产生倒角(Undercut)的问题，或使刻蚀后的薄膜形状更加的完美。该薄膜刻蚀方法是将现有的刻蚀制程，分为两阶段加以进行，且于该两阶段的刻蚀制程间，再插入一退光刻胶的刻蚀制程，通过由将光刻胶适度的刻蚀后，使得薄膜与刻蚀材料的接触面积增加，因此可以消除现有刻蚀所产生的倒角或薄膜形状不完美的问题。
基本信息
专利标题 ：
薄膜刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992150A
申请号 ：
CN200510137420.5
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许嘉哲施雅钟郑勉仁吴承昌张瑞宗
申请人 ：
中华映管股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200510137420.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3213 C23F1/02 C23F1/16
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2018-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20161230
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20161230
2009-05-06 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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