精确刻蚀和去除薄膜的新装置和方法

专利权的终止

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摘要

本发明涉及一种通过控制含反应物的薄膜的表面存留时间、厚度及组成来进行薄膜的精确刻蚀和去除的新的装置和方法。并以应用石英晶体微量天平在低压下对二氧化硅的刻蚀为例作了说明。显示了本发明在微电子器件制造中的实用性。

基本信息

专利标题：

精确刻蚀和去除薄膜的新装置和方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1088272A

申请号：

CN93114477.9

公开（公告）日：

1994-06-22

申请日：

1993-11-06

授权号：

CN1038349C

授权日：

1998-05-13

发明人：

靳舒金韦斯利·Ｃ·纳特兹吴心帆

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN93114477.9

主分类号：

C23F1/24

IPC分类号：

C23F1/24

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23F

非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理

C23F1/00

金属材料的化学法蚀刻

C23F1/10

蚀刻用组合物

C23F1/14

含水组合物

C23F1/16

酸性组合物

C23F1/24

蚀刻硅或锗用的

法律状态

2013-12-25 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101556927025
IPC(主分类) : C23F 1/24
专利号 : ZL931144779
申请日 : 19931106
授权公告日 : 19980513
期满终止日期 : 20131106

2008-09-10 ：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 东京毅力科创株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 美国纽约
变更后 : 日本东京
登记生效日 : 20080801

1998-05-13 ：

授权

1994-06-22 ：

实质审查请求的生效

1994-06-22 ：

公开

1994-06-15 ：

实质审查请求的生效

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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