从衬底上去除薄膜的气态方法和设备
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
从衬底上去除至少部分薄膜的方法，保持环绕衬底的大气在接近室温和通常大气压力下，在衬底上通入干燥惰性稀释气体，通过通入水蒸汽覆盖衬底和薄膜来预处理薄膜，在衬底上通入来自与水蒸汽发生源分开的发生源的水蒸汽和无水氟化氢气体，继续通入反应气体流，典型为5至30秒，直至去除控制量的薄膜，终止反应气体流并继续通入干燥惰性稀释气体终止薄膜去除。
基本信息
专利标题 ：
从衬底上去除薄膜的气态方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86105419A
申请号 ：
CN86105419.9
公开（公告）日 ：
1987-04-29
申请日 ：
1986-08-27
授权号 ：
CN1005803B
授权日 ：
1989-11-15
发明人 ：
罗伯特·S·布莱克伍德雷克斯·L·比格斯塔夫L·戴维斯·克莱门茨C·林·克利夫林
申请人 ：
FSI公司;得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州查斯卡
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
杨钢
优先权 ：
CN86105419.9
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2002-04-17 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-08-01 ：
授权
1989-11-15 ：
审定
1988-03-16 ：
实质审查请求
1987-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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