薄膜样品测量方法和设备及薄膜样品制备方法和设备

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摘要

在将电子束照射到薄膜样品、探测所产生的二次电子并通过利用二次电子来测量薄膜样品膜厚的薄膜样品测量方法中，实现了精确地在短时间内容易地测量该膜厚，即使当该照射的电子束电流量变化时。照射电子束(2b)，并由二次电子探测器(6)探测所产生的二次电子(4)。由第一计算装置(11)计算由在膜厚测量区域探测到的二次电子数量和在参考区域探测到的二次电子数量构成的计算值。基于标准薄膜样品的校准数据和从样品(5)获得的计算值，可以计算该膜厚测量区域的膜厚。

基本信息

专利标题：

薄膜样品测量方法和设备及薄膜样品制备方法和设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101137889A

申请号：

CN200580049003.3

公开（公告）日：

2008-03-05

申请日：

2005-12-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

一宫丰麻畑达也铃木秀和

申请人：

精工电子纳米科技有限公司

申请人地址：

日本千叶县

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN200580049003.3

主分类号：

G01B15/02

IPC分类号：

G01B15/02 G01N23/20 G01N23/225 H01J37/28 H01J37/30 H01L21/66