TEM样品制备方法
授权
摘要
本申请涉及一种TEM样品制备方法，包括：确定半导体衬底上存在缺陷的目标位置并从半导体衬底的背面对半导体衬底进行减薄，制成平面TEM样品，目标位置位于平面TEM样品内；用粘合胶将平面TEM样品的背面粘贴于导电垫片上，粘合胶的厚度小于或等于50μm；及确定缺陷的平面形貌和位置并采用聚焦离子束在缺陷位置处垂直于平面TEM样品进行切割，制成剖面TEM样品，缺陷位于剖面TEM样品的剖面上。上述制备方法制成剖面TEM样品，可以获取半导体衬底厚度方向的缺陷信息，如缺陷的深度信息，从而推导出导致缺陷的工序，以对工序进行改进，提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
TEM样品制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111398325A
申请号 ：
CN201910003403.4
公开（公告）日 ：
2020-07-10
申请日 ：
2019-01-03
授权号 ：
CN111398325B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
李晓丽王金成王佳龙
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
吴平
优先权 ：
CN201910003403.4
主分类号 ：
G01N23/2202
IPC分类号 ：
G01N23/2202
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/22
通过测量材料的二次发射
G01N23/2202
样品制备
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-08-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/2202
申请日 : 20190103
申请日 : 20190103
2020-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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