芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备。该方法在对待处理芯片的背面进行去除，直至暴露出待处理芯片中裸片的背面；将处理后的芯片的背面固定在玻璃板上，并对处理后的芯片上的各锡球进行凹陷处理，得到相应带孔锡球；采用预设的焊线机，基于配置的焊线调试参数，通过目标导线将凹陷处理后的带孔锡球与分析电路板电连接。该方法克服了现有技术中不能对多于8个锡球的芯片进行失效分析的问题，提高了失效分析的成功率和分析效率。
基本信息
专利标题 ：
芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114371383A
申请号 ：
CN202111564272.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何桂港郑朝晖
申请人 ：
上海季丰电子股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祖冲之路1505弄55号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
舒淼
优先权 ：
CN202111564272.0
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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