晶圆样品分析方法和装置
实质审查的生效
摘要

本申请提供一种晶圆样品分析方法和装置。该方法应用于二次离子质谱仪,包括:提供晶圆样品,所述晶圆样品至少包括一斜面,所述斜面用于在同一面上暴露衬底、第一保护层和第一掺杂层,其中所述第一保护层形成在所述衬底上,所述第一掺杂层形成在所述第一保护层上;获取所述斜面的斜面图像并分析所述斜面图像,得到所述斜面图像内所述晶圆样品中元素的掺杂深度和掺杂浓度。本申请提供的晶圆样品分析方法和装置解决了现有的分析晶圆中元素的方法存在的分析结果不准确的问题。

基本信息
专利标题 :
晶圆样品分析方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284163A
申请号 :
CN202011044823.6
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2020-09-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
徐高峰
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
张娜
优先权 :
CN202011044823.6
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200928
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332