一种待失效分析样品的制备方法及待失效分析样品
授权
摘要
本发明实施例公开了一种待失效分析样品的制备方法,所述方法包括:提供封装结构,所述封装结构包括芯片堆叠结构以及覆盖所述芯片堆叠结构的密封剂;所述芯片堆叠结构包括基板,堆叠设置在所述基板上方的多个芯片,及用于使所述多个芯片之间,和/或所述多个芯片与所述基板之间实现电连接的多条导电线;所述多个芯片在所述基板上方依次堆叠形成第一台阶结构,所述多条导电线位于所述第一台阶结构的上方;对所述第一台阶结构上方的密封剂执行多次研磨步骤,以切断所述多条导电线,得到所述待失效分析样品。
基本信息
专利标题 :
一种待失效分析样品的制备方法及待失效分析样品
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113097086A
申请号 :
CN202110321380.9
公开(公告)日 :
2021-07-09
申请日 :
2021-03-25
授权号 :
CN113097086B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
庞涛韩龙
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 :
刘鹤
优先权 :
CN202110321380.9
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-07 :
授权
2021-07-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210325
申请日 : 20210325
2021-07-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113097086A.PDF
PDF下载