芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备。该方法在对待处理芯片的背面进行去除，直至得到暴露出所述待处理芯片中裸片的背面和芯片引线截面的处理后的芯片后，将处理后的芯片的正面固定在固定板上；采用预设的焊线机，基于配置的焊线调试参数，通过目标导线将芯片引线截面与分析电路板电连接。该方法克服了现有技术无法对失效芯片进行多焊点加电的失效分析，同时提高了失效分析效率。
基本信息
专利标题 ：
芯片失效分析的样品制备方法及样品制备设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114280451A
申请号 ：
CN202111566223.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何桂港郑朝晖
申请人 ：
上海季丰电子股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区祖冲之路1505弄55号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
舒淼
优先权 ：
CN202111566223.0
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G01N1/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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