使用FIB制备截面样品的方法和截面样品的观察方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种使用FIB束制备截面样品的方法和截面样品的观察方法。该使用FIB束制备截面样品的方法包括:提供半导体结构,在半导体结构的表面选择目标区域;在目标区域上形成保护层;在目标区域周围选择第一区域,第一区域包括除所述目标区域之外的部分区域或全部区域;沿第一方向减薄第一区域对应的第一半导体结构,使第一半导体结构与目标区域对应的第二半导体结构沿第一方向具有一高度差;减薄目标区域对应的第二半导体结构,使第二半导体结构沿第二方向具有一目标厚度,其中,第二方向垂直于第一方向。该方法可以缩短使用FIB制备截面样品的时间,同时获得完整且方便观察的截面样品,提高对样品观察的准确性。
基本信息
专利标题 :
使用FIB制备截面样品的方法和截面样品的观察方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114354664A
申请号 :
CN202210020997.1
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-01-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
姜有东刘婧饶少凯冯路
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
杜娟
优先权 :
CN202210020997.1
主分类号 :
G01N23/20008
IPC分类号 :
G01N23/20008 G01N23/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/20
利用材料辐射的衍射,例如,用于测试晶体结构;利用材料辐射的散射,例如测试非晶材料;利用材料辐射的反射
G01N23/20008
分析仪零件结构,例如其特征在于X射线源、检测器或光学系统;其配件;样品制备
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/20008
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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