薄膜制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及制备薄膜的方法。一种实施例方法包括通过使包含锗(Ge)的第一前体、包含锑(Sb)的第二前体和包含碲(Te)的第三前体在反应室中发生化学反应，在衬底表面上形成GeSbTe薄膜，及用氢等离子体处理该GeSbTe薄膜的表面。另一种实施例方法包括将至少一种前体注入到反应室中，及利用化学气相沉积法，将所述至少一种前体沉积在反应室内的衬底上，以便形成薄膜。
基本信息
专利标题 ：
薄膜制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101013669A
申请号 ：
CN200610008945.3
公开（公告）日 ：
2007-08-08
申请日 ：
2006-02-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李正贤李昌洙姜闰浩
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张平元
优先权 ：
CN200610008945.3
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/00 C23C16/30 C23C16/44 C23C16/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2009-11-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-08-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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