电光晶体薄膜及其制备方法
授权
摘要

本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法,包括:依次层叠的衬底层、隔离层、补偿层和功能薄膜层;功能薄膜层的折射率大于补偿层的折射率,其中,补偿层为掺杂无机材料,掺杂无机材料是指在无机材料中掺杂有轻质量离子,轻质量离子是指相对原子质量小于无机材料中任一元素的相对原子质量的离子。功能薄膜层为掺杂电光晶体材料,掺杂电光晶体材料是指在电光晶体材料中掺杂有重质量离子,重质量离子是指相对原子质量大于电光晶体材料中任一元素的相对原子质量的离子。通过在在补偿层中掺杂轻质量离子、在功能薄膜层中掺杂重质量离子的方式,提供一种具有更大折射率差的电光晶体薄膜,使得折射率差不再受限于材料本身折射率的约束。

基本信息
专利标题 :
电光晶体薄膜及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111983825A
申请号 :
CN202010889148.0
公开(公告)日 :
2020-11-24
申请日 :
2020-08-28
授权号 :
CN111983825B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
张秀全刘桂银王金翠李真宇杨超连坤孔霞
申请人 :
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 :
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
逯长明
优先权 :
CN202010889148.0
主分类号 :
G02F1/03
IPC分类号 :
G02F1/03  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/03
基于陶瓷或电—光晶体的,例如,显示泡克耳斯或科尔效应的
法律状态
2022-04-29 :
授权
2020-12-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/03
申请日 : 20200828
2020-11-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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