一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件

授权

摘要

本申请公开一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：在衬底层上制备隔离层；利用离子注入法和键合法，或者，利用键合法和研磨抛光法，在所述隔离层上制备功能薄膜层；其中，在采用键合法将所述隔离层与薄膜基体键合后，在所述薄膜基体内形成压应力，并且在所述隔离层内形成拉应力，进一步通过对薄膜基体和隔离层施加机械压应力或机械拉应力的方式，或者利用隔离层与薄膜基体自身的热膨胀系数，控制键合前后的温度，从而在隔离层与薄膜基体内形成互相牵制的压应力和拉应力，以实现提高隔离层与薄膜基体折射率差的目的，其制备方法简单，并且不需要挖掘折射率差更大的两种材料，仅用现有的常规材料即可。

基本信息

专利标题：

一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112490349A

申请号：

CN202011348841.3

公开（公告）日：

2021-03-12

申请日：

2020-11-26

授权号：

CN112490349B

授权日：

2022-05-17

发明人：

李真宇李洋洋张秀全朱厚彬杨超韩智勇薛海蛟

申请人：

济南晶正电子科技有限公司

申请人地址：

山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

逯长明

优先权：

CN202011348841.3

主分类号：

H01L41/187

IPC分类号：

H01L41/187 H01L41/312