一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件

授权

摘要

本申请提供一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：在电光晶体基片工艺面制备掩模；如果掩模与光波导结构相反，则由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子，在电光晶体基片内形成波导层；如果掩模与光波导结构相同，则由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂轻质量离子，在电光晶体基片内形成波导层，其中，波导层中没有掺杂轻质量离子部分形成光波导，波导层中掺杂轻质量离子部分形成波导包覆层，光波导的折射率大于波导包覆层的折射率，通过在电光晶体基片中掺杂重质量离子或轻质量离子，形成光波导，而不需要通过对电光晶体基片刻蚀来形成光波导，从而能够保证最后得到的电光晶体薄膜层的完整性。

基本信息

专利标题：

一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112764245A

申请号：

CN202110104258.6

公开（公告）日：

2021-05-07

申请日：

2021-01-26

授权号：

CN112764245B

授权日：

2022-05-17

发明人：

刘桂银张秀全连坤

申请人：

济南晶正电子科技有限公司

申请人地址：

山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN202110104258.6

主分类号：

G02F1/035

IPC分类号：

G02F1/035 G02F1/03 C30B31/22 C30B31/02 C23C16/56 C23C14/58