用于电光调制器的电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件
授权
摘要

本申请提供一种用于电光调制器的电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件,在层叠有电极层的支撑基板上制备目标凹槽阵列;将电光晶体基片进行离子注入、并切割成电光晶体切片;将各个电光晶体切片转移至目标凹槽阵列中对应的凹槽内、且与目标凹槽阵列中对应的凹槽内的隔离层键合,得到键合体;对所述键合体进行热处理,得到电光晶体薄膜。本申请不需要对铌酸锂和钽酸锂等物理和化学性质都非常稳定的电光晶体材料进行刻蚀形成光波导,而是将切割好的各电光晶体切片转移至预先制备得到的凹槽阵列中对应的凹槽内,其中,保留在各个凹槽内的电光晶体薄膜层形成光波导结构,通过由电极形成的凹槽控制光波导的光信号,从而实现电光调制功能。

基本信息
专利标题 :
用于电光调制器的电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113050306A
申请号 :
CN202110259608.6
公开(公告)日 :
2021-06-29
申请日 :
2021-03-10
授权号 :
CN113050306B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
刘桂银张秀全王金翠连坤
申请人 :
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 :
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 :
逯长明
优先权 :
CN202110259608.6
主分类号 :
G02F1/03
IPC分类号 :
G02F1/03  G02F1/035  G02B6/122  G02B6/136  G02B6/12  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/03
基于陶瓷或电—光晶体的,例如,显示泡克耳斯或科尔效应的
法律状态
2022-05-17 :
授权
2021-07-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/03
申请日 : 20210310
2021-06-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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