薄膜晶体管、电光学装置、以及电子仪器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供用液相法形成、具备优良的动作可靠性同时可高利用率地制造的薄膜晶体管。该薄膜晶体管是具备用液相法形成的电极构件的薄膜晶体管，上述电极构件都备有层叠由金属材料构成的阻挡层和基体层的层叠结构，构成上述阻挡层的金属材料由选自Ni、Ti、W、Mn之中的1种或者2种以上的金属材料构成。例如，TFT(薄膜晶体管)(60)具备：具有阻挡金属膜(61a)(阻挡层)和源电极膜(66)(基体层)的层叠结构的源电极(34)、具有阻挡金属膜(61a)(阻挡层)和漏电极膜(67)(基体层)的层叠结构的漏电极(35)。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管、电光学装置、以及电子仪器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763976A
申请号 ：
CN200510114134.7
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小林洋介
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510114134.7
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/40
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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