薄膜半导体装置、电光学装置、以及电子仪器
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明提供对于在同一基板上形成的TFT和电容元件,可以确保高的耐电压的同时可以提高电容元件的静电电容的薄膜半导体装置、电光学装置和电子仪器。在TFT阵列基板(10)中,由于电介质膜(2c)在第1区域(1c)的外侧区域备有比第1区域(201c)膜厚更厚的第2区域(202c),所以存储电容(70)的耐电压高。从而,电容元件(70)可以得到高的耐电压,同时可以将为增高耐电压而增厚电介质膜(2c)的膜厚导致的静电电容的降低限制在最小限度内。这样,对于在同一基板上形成的TFT(30)和电容元件(70),可以确保高的耐电压,同时可以提高电容元件(70)的静电电容。

基本信息
专利标题 :
薄膜半导体装置、电光学装置、以及电子仪器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1755468A
申请号 :
CN200510106361.5
公开(公告)日 :
2006-04-05
申请日 :
2005-09-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
江口司世良博
申请人 :
精工爱普生株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
李香兰
优先权 :
CN200510106361.5
主分类号 :
G02F1/136
IPC分类号 :
G02F1/136  H01L29/786  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的,例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置
G02F1/136
结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元,例如形成集成电路部分的液晶单元
法律状态
2016-10-12 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101739898703
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL2005101063615
登记生效日 : 20160914
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 殷特勒高科技有限公司
变更后权利人 : 深圳市华星光电技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 匈牙利布达佩斯1163、XVI奇拉克24-32A1ep1em122
变更后权利人 : 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
2016-10-12 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101739898702
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL2005101063615
登记生效日 : 20160914
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工爱普生株式会社
变更后权利人 : 殷特勒高科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 匈牙利布达佩斯1163、XVI奇拉克24-32A1ep1em122
2009-01-14 :
授权
2006-05-31 :
实质审查的生效
2006-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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