半导体装置及其制法、电路基板、电光学装置和电子仪器
专利权的终止
摘要
本发明提供可以谋求凸起电极厚膜化和制造成本降低化的半导体装置的制造方法。上述凸起电极(10)以树脂材料(12)作为芯，至少由导电膜(20)覆盖其顶部。具有由喷墨法将树脂材料配置在形成电极端子(24)的基板P上的工序和形成连接电极端子(24)和树脂材料的顶部的金属配线(20)的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制法、电路基板、电光学装置和电子仪器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819116A
申请号 ：
CN200610003692.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田中秀一栗林满
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200610003692.0
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2015-03-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101600530195
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2006100036920
申请日 : 20060111
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20140111
号牌文件序号 : 101600530195
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2006100036920
申请日 : 20060111
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20140111
2008-05-28 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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