有源矩阵基板及其制造方法、电光学装置及电子仪器
专利权的终止
摘要
提供一种有源矩阵基板的制造方法等。所述方法包括：在基板(P)上形成第一方向或第二方向中任一配线(42)在交叉部56中被截断的格子图案配线(40、42、46)的第一工序；在交叉部(56)和配线(40、42、46)的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部的第二工序；形成将层叠部上被截断的配线(42)电连接的导电层(49)、及借助于半导体膜(30)与配线(42)电连接的像素电极(45)的第三工序。其中导电层(49)及像素电极(45)的形成工序，包括：通过液滴喷出法形成将导电层(49)和像素电极(45)划分的贮格围堰的工序；和在被此贮格围堰划分的区域上配置含有导电性材料的功能液的工序。能够使干法和光刻法组合的工序的次数减少。
基本信息
专利标题 ：
有源矩阵基板及其制造方法、电光学装置及电子仪器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819146A
申请号 ：
CN200610004575.6
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
守屋克之
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610004575.6
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H05B33/10 G02F1/1362
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2017-03-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101708964543
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100045756
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20160128
号牌文件序号 : 101708964543
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100045756
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20160128
2009-05-06 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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