有源矩阵衬底及其制造方法
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摘要
本发明的目的在于提供一种高开口率的有源矩阵衬底，其能够防止象素电极和辅助电容电极之间的电短路。在绝缘衬底(1)上形成栅极线(2)和辅助电容电极(3)，在辅助电容电极(3)上形成孔部(3h)。形成第1层间绝缘膜(5)，使其将栅极线(2)和辅助电容电极(3)覆盖，在其上形成源极线(9)、半导体层和漏极(10)，并形成第2层间绝缘膜(12)将它们覆盖。在第2层间绝缘膜(12)上形成接触孔(14)，接触孔(14)在与上述孔部(3h)对应的部分到达上述漏极(10)。第2层间绝缘膜(12)上形成的象素电极(15)通过上述接触孔(14)连接到漏极(10)上。
基本信息
专利标题 ：
有源矩阵衬底及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819217A
申请号 ：
CN200610005775.3
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
泽水京子大谷诚松井泰志
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200610005775.3
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L23/522 H01L21/84 H01L21/768 G02F1/1368
相关图片
法律状态
2009-07-15 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100514657C.PDF
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