有源矩阵TFT阵列的测定方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提供一种TFT阵列保持电容的保持特性测试中的高精度测试方法。本发明系关于一种测定方法，其特征在于：其是包含具备保持电容的复数个像素电路的有源矩阵TFT阵列的保持特性测定方法，且上述复数个像素电路中至少具备第1与第2像素电路，并且包含如下步骤，向第1像素电路的保持电容充电，其次向第2像素电路的保持电容充电，进而进行消除由浮动电容产生的影响的操作，并对充电后经过特定保持时间的上述第1与第2像素电路的保持电容的电荷进行测定。

基本信息

专利标题：

有源矩阵TFT阵列的测定方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1779474A

申请号：

CN200510123676.0

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-11-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

宫本隆田岛佳代子

申请人：

安捷伦科技公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方

优先权：

CN200510123676.0

主分类号：

G01R31/00

IPC分类号：

G01R31/00 G01R31/28 G01M11/00 G09F9/30