像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装...
专利权的终止
摘要
本发明提供一种像素构造，具有像素电极(20)、与该像素电极(20)对应的开关元件(10)。像素电极(20)和开关元件(10)被形成于同一基板(P)上，像素电极(20)被配置于基板(P)侧的层(第1层L1)中，而不是开关元件(10)的半导体层(11)中。根据本发明，可以提供制造工艺的半导体层的热的限制的影响少、有利于低成本化的像素构造。
基本信息
专利标题 ：
像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832173A
申请号 ：
CN200610058869.7
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
傅田敦野田洋一
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200610058869.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 G02F1/1368
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2018-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20100224
终止日期 : 20170308
申请日 : 20060308
授权公告日 : 20100224
终止日期 : 20170308
2010-02-24 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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