SiC衬底的制造方法
公开
摘要
本发明所要解决的技术问题是提供一种新颖的SiC衬底的制造方法。根据本发明的SiC衬底的制造方法的特征在于包括：蚀刻步骤(S10)，蚀刻SiC原衬底(10)；晶体生长步骤(S20)，在SiC原衬底(10)上使SiC衬底层(13)生长来获得SiC衬底体(20)；以及剥离步骤(S30)，剥离SiC衬底体(20)的一部分来获得SiC衬底(30)，蚀刻步骤(S10)和晶体生长步骤(S20)是将SiC原衬底(10)和SiC材料(40)对置并进行加热使得在SiC原衬底(10)和SiC材料(40)之间形成温度梯度的步骤。
基本信息
专利标题 ：
SiC衬底的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342045A
申请号 ：
CN202080055175.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子忠昭小岛清
申请人 ：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本国兵库县
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方挺
优先权 ：
CN202080055175.6
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/78 C30B25/20 C30B29/36 C30B33/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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