SiC衬底的制造方法
公开
摘要
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够减少去除应变层时的材料损失的、用于制造SiC衬底的新技术。本发明是一种SiC衬底(30)的制造方法，其包括：应变层薄化步骤(S1)，通过使SiC衬底体(10)的应变层(12)移动到表面侧来使应变层(12)变薄。这样，通过包括使应变层(12)移动(集中)到表面侧的应变层薄化步骤(S1)，可以减少去除应变层(12)时的材料损失(L)。
基本信息
专利标题 ：
SiC衬底的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424322A
申请号 ：
CN202080066201.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子忠昭
申请人 ：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本国兵库县
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方挺
优先权 ：
CN202080066201.5
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/306 H01L21/02 H01L21/04 C30B29/36 C30B33/00 C30B33/02 C30B33/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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