封装衬底及用于制造封装衬底的方法
公开
摘要
提供一种封装衬底及其制造方法。所述封装衬底包含衬底及电子组件。所述衬底包含空腔。所述电子组件安置于所述空腔中。所述电子组件包含第一区域及第二区域，及所述第一区域的光学识别率不同于所述第二区域的光学识别率。
基本信息
专利标题 ：
封装衬底及用于制造封装衬底的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284156A
申请号 ：
CN202110759923.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-07-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许武州田兴国李志成陈敏尧
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓区经三路26号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
蕭輔寬
优先权 ：
CN202110759923.5
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L23/498 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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