金属陶瓷衬底或铜陶瓷衬底的制造方法以及用于所述方法中的支...
授权
摘要
本发明公开了一种用于制造金属陶瓷衬底的方法，在其两侧利用直接键合工艺金属化。根据所述方法，通过加热到直接键合温度，在支架(1)的隔离层(2)上形成至少一个包括第一和第二金属层(3，5)以及位于所述金属层(3，5)之间的陶瓷层(4)的DCB堆叠。在键合过程中，至少一个所述金属层(3，5)支撑在隔离层(2)上，该隔离层由多孔层或涂层组成，该多孔层或涂层由包括多铝红柱石、Al2O3、TiO3、ZrO2、MgO、CaO、CaCO2的组中的隔离层材料或所述材料中至少两种材料的混合物制成。
基本信息
专利标题 ：
金属陶瓷衬底或铜陶瓷衬底的制造方法以及用于所述方法中的支架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101049056A
申请号 ：
CN200580036953.2
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
于尔根·舒尔茨－哈德安德列斯·K·弗瑞茨曼亚历山大·罗格卡尔·伊格赛尔
申请人 ：
库拉米克电子学有限公司
申请人地址 ：
德国埃申巴赫
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
赵科
优先权 ：
CN200580036953.2
主分类号 ：
H05K3/02
IPC分类号 ：
H05K3/02 H05K1/03 H05K13/00 H01L23/373 C04B37/02
相关图片
法律状态
2011-06-15 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101049056A.PDF
PDF下载
