SiC衬底的制造方法
公开
摘要
本发明提供一种用于制造SiC衬底的新颖技术，其可以去除应变且实现与进行了CMP的情况相同程度的平坦表面。该技术在包含Si元素和C元素的气氛下对表面的算术平均粗糙度(Ra)为100nm以下的SiC衬底进行蚀刻。
基本信息
专利标题 ：
SiC衬底的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303232A
申请号 ：
CN202080055185.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
长屋正武金子忠昭
申请人 ：
株式会社电装;学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本国爱知县
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方挺
优先权 ：
CN202080055185.X
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/306 H01L21/3065 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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