制造键合衬底叠层的方法
公开
摘要
本公开的实施例描述了一种制造键合衬底叠层的方法。该方法包括提供第一衬底，具有包括第一绝缘体和第一金属的第一混合界面层。该方法还包括提供第二衬底，具有包括第二绝缘体和第二金属的第二混合界面层。第一和第二混合界面层通过粒子轰击而表面活化。粒子轰击被配置为去除第一和第二混合界面层的原子以在第一和第二混合界面层上产生悬空键。表面活化的第一混合界面层和表面活化的第二混合界面层接触，从而使第一和第二混合界面层的悬空键结合在一起形成第一绝缘体到第二绝缘体键合和第一金属到第二金属键合。
基本信息
专利标题 ：
制造键合衬底叠层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446772A
申请号 ：
CN202111288126.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·西格尔A·弗雷
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国诺伊比贝尔格
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
闫昊
优先权 ：
CN202111288126.X
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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