具有导电层的衬底的制造方法和半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种具有导电层的衬底的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成具有期望形状的有机树脂层；在所述无机绝缘层的第1暴露区域上形成对含有导电颗粒的混合物的低可湿性层；去除所述有机树脂层；用所述含有导电颗粒的混合物涂覆所述无机绝缘层的第2暴露区域并烘焙，从而形成导电层。
基本信息
专利标题 ：
具有导电层的衬底的制造方法和半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815699A
申请号 ：
CN200510129683.1
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤井严森末将文小路博言丸山纯矢大力浩二青木智幸
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200510129683.1
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2021-11-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3205
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20201216
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20201216
2009-05-20 ：
授权
2008-01-30 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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