衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

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摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。本发明的目的在于，提供能够在供给等离子体而进行处理的装置中控制在衬底的径向上供给的自由基量的技术。衬底处理装置具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其在所述处理室中支承衬底；多个反应气体供给孔，其设置于所述处理室的与所述衬底支承部的衬底支承面相对的壁上；多个反应气体供给部，其具有反应气体供给管、和设置于所述反应气体供给管的上游的等离子体生成部，所述反应气体供给管固定于所述处理室、且与所述反应气体供给孔的各自连通；和等离子体控制部，其连接于所述等离子体生成部、对多个所述等离子体生成部各自单独地进行控制。

基本信息

专利标题：

衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110911261A

申请号：

CN201910051465.2

公开（公告）日：

2020-03-24

申请日：

2019-01-18

授权号：

CN110911261B

授权日：

2022-06-10

发明人：

广地志有八幡橘

申请人：

株式会社国际电气

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

杨宏军

优先权：

CN201910051465.2

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32 H01L21/687