衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供一种衬底处理装置，包括：处理室(201)；保持部件(217)；加热部件(207)；向处理室内交替供给第1和第2反应物质的供给部件(232a、232b)；供给第1反应物质，使第1反应物质吸附于衬底上后，除去剩余的第1反应物质，接着，供给第2反应物质，使第2反应物质与吸附于衬底上的第1反应物质发生反应，从而在衬底上形成薄膜；还具有控制部，在保持部件所保持的产品用衬底的张数未达到保持部件能保持的产品用衬底的最大保持张数时，在产品用衬底的张数不足的状态下实施形成薄膜的处理。
基本信息
专利标题 ：
衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101023515A
申请号 ：
CN200580031629.1
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫博信野田孝晓水野谦和境正宪佐藤武敏
申请人 ：
株式会社日立国际电气
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
季向冈
优先权 ：
CN200580031629.1
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2018-12-21 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/31
登记生效日 : 20181130
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20181130
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社日立国际电气
变更后权利人 : 株式会社国际电气
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
2009-07-22 ：
授权
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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