半导体衬底的原位净化方法和半导体器件制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了与外延工艺结合使用的原位预净化方法，其在适于导致来自暴露的半导体表面的比如原生氧化物的半导体氧化物的分解的压力和环境条件下，利用了处于或低于那些通常在随后的外延沉积期间使用的温度。减小的温度和所得到的净化的半导体表面质量趋于减小与温度相关的问题的可能性，例如不希望的扩散、自动掺杂、滑移和其他的应力问题，同时减少了总的工艺时间。在反应室内保持的压力、环境气体成分和温度的组合足以分解在硅表面上存在的半导体氧化物。例如，反应室可以被如此控制，使得在反应室内的析出氧气的浓度小于净化条件下平衡气压的约50％，或甚至小于净化条件下平衡气压的10％。
基本信息
专利标题 ：
半导体衬底的原位净化方法和半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825543A
申请号 ：
CN200610005732.5
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
申东石李化成上野哲嗣李浩李承换
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005732.5
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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