半导体衬底
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种半导体衬底，包括：互连件，互连件包括：第一金属层，位于半导体衬底的表面上；第二金属层，位于第一金属层上；附着层，位于第一金属层和第二金属层之间，附着层与第二金属层直接接触。本发明的目的在于提供一种半导体衬底，以至少实现提高半导体衬底的良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388376A
申请号 ：
CN202111458990.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈昭丞张皇贤
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202111458990.X
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20211202
申请日 : 20211202
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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