氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法
实质审查的生效
摘要
氮化物半导体衬底，是具有2英寸以上的直径，并具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面的氮化物半导体衬底，FWHM2{10－12}相对于FWHM1{10－12}的比率为80％以上。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114423891A
申请号 ：
CN202080066953.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉田丈洋
申请人 ：
株式会社赛奧科思;住友化学株式会社
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱丹
优先权 ：
CN202080066953.1
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B25/18 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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