氮化物半导体装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种氮化物半导体装置，该装置具备：n型GaN衬底(10)、形成于n型GaN衬底(10)的主面上并包含p型区域及n型区域的半导体叠层结构(100)、与半导体叠层结构(100)所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)、设在n型GaN衬底(10)的背面上的n侧电极(34)，n型GaN衬底的背面包含氮面，其背面和n侧电极(34)的界面上的碳浓度调整为5原子％以下。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124704A
申请号 ：
CN200680005368.0
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2006-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
长谷川義晃菅原岳安杖尚美石桥明彦横川俊哉
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200680005368.0
主分类号 ：
H01S5/042
IPC分类号 ：
H01S5/042 H01L21/28 H01S5/343
法律状态
2010-08-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101004079761
IPC(主分类) : H01S 5/042
专利申请号 : 2006800053680
公开日 : 20080213
号牌文件序号 : 101004079761
IPC(主分类) : H01S 5/042
专利申请号 : 2006800053680
公开日 : 20080213
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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