氮化物基半导体装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要
一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、氮化物基多半导体层、栅电极、栅极绝缘体层和源电极。所述第一氮化物基半导体层包含漂移区和至少两个掺杂势垒区，所述掺杂势垒区在所述漂移区中限定孔。所述氮化物基多半导体层结构安置在所述第一氮化物基半导体层之上且具有彼此分隔开的第一异质结和第二异质结。所述栅电极由所述氮化物基多半导体层结构接收且与所述漂移区中的所述孔竖直对准。所述栅极绝缘体层安置在所述氮化物基多半导体层结构和所述栅电极之间。所述源电极安置在所述第一氮化物基半导体层之上且邻接所述氮化物基多半导体层结构的所述第一和第二异质结。
基本信息
专利标题 ：
氮化物基半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503282A
申请号 ：
CN202180005094.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨超周春华赵起越沈竞宇
申请人 ：
英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202180005094.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/10 H01L21/335
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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