氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法，该氮化物半导体材料在半导体或电介质衬底上具有第一氮化物半导体层组，所述第一氮化物半导体层组的表面的RMS为5nm以下，X射线半幅值的变动在±30％以内，表面的光反射率在15％以上，其变动在±10％以下，而且，所述第一氮化物半导体层组的厚度为25μm以上。该氮化物半导体材料具有优良的均匀性、稳定性，制造成本低，适用于作为氮化物半导体类设备用衬底。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101138073A
申请号 ：
CN200680005598.7
公开（公告）日 ：
2008-03-05
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
清见和正堀江秀善石渡俊男藤村勇夫
申请人 ：
三菱化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200680005598.7
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/34 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2008-10-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
