Ⅲ族氮化物结晶的制造方法以及制造装置

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种III族氮化物结晶的制造方法，该方法在保持有包含III族金属、碱金属和氮的熔融液的保持容器内使晶种生长，包括：使上述晶种与上述熔融液接触的步骤、在接触上述熔融液的状态下将上述晶种的环境设定为偏离结晶生长条件的第1状态的步骤、增加上述熔融液中的氮浓度的步骤、和上述熔融液的氮浓度达到适合使上述晶种结晶生长的浓度时将上述晶种的环境设定为适合结晶生长条件的第2状态的步骤。

基本信息

专利标题：

Ⅲ族氮化物结晶的制造方法以及制造装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1954101A

申请号：

CN200680000230.1

公开（公告）日：

2007-04-25

申请日：

2006-03-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

岩田浩和皿山正二福田实高桥哲也高桥彰

申请人：

株式会社理光

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

宋莉

优先权：

CN200680000230.1

主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

C30B29/38 C30B9/06

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/38

氮化物

法律状态

2021-03-02 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 29/38
申请日 : 20060313
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20200313

2010-05-19 ：

授权

2007-06-13 ：

实质审查的生效

2007-04-25 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

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2、

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