氮化物半导体元件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1943084A
申请号 ：
CN200580011771.X
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安杖尚美横川俊哉长谷川义晃
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580011771.X
主分类号 ：
H01S5/02
IPC分类号 ：
H01S5/02
法律状态
2015-12-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636686725
IPC(主分类) : H01S 5/02
专利号 : ZL200580011771X
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20141013
号牌文件序号 : 101636686725
IPC(主分类) : H01S 5/02
专利号 : ZL200580011771X
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20141013
2009-01-21 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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