氮化物半导体元件制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种氮化物半导体器件制造方法。使氮化物半导体元件相分离的一定槽中形成有裂缝防止壁。除去槽中存在的空隙，这样可将在激光发射工序时器件中发生的裂缝或损伤降到最低。特别是上述的裂缝防止壁通过一定的传导性金属形成，与载波基板接合时，与接合部件的反应比较容易，可以与载波基板维持很强的接合力，与现有的使用环氧的一定接合法中独立式再一次接合金属电极不同，在本发明中可以省略该工序，以此提高器件的生产效率。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体元件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979763A
申请号 ：
CN200510122765.3
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李贤宰崔在完
申请人 ：
乐金电子（南京）等离子有限公司
申请人地址 ：
210046江苏省南京市南京经济技术开发区恒通大道77号
代理机构 ：
北京金信立方知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄威
优先权 ：
CN200510122765.3
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-12-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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