氮化物半导体激光元件及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明的目的在于，在采用氮化物半导体层的激光元件中，提供一种具有更高输出或长寿命特性的半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件包括谐振器，谐振器具有：n型GaN或n型AlGaN构成的第1覆盖层(103)；AlGaInN多重量子阱构成、形成于第1覆盖层(103)上的活性层(105)；形成于活性层(105)上、且由p型或掺杂的GaN或AlGaN构成的第2覆盖层(106)；以及形成于第2覆盖层(106)上、且由p型GaN或p型AlGaN构成的第3覆盖层(107)；谐振器在谐振器端部有离子注入部(104)。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体激光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812214A
申请号 ：
CN200610005190.1
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大野启
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡建新
优先权 ：
CN200610005190.1
主分类号 ：
H01S5/10
IPC分类号 ：
H01S5/10 H01S5/323 H01S5/343
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法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的驳回
2008-01-09 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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