半导体激光元件的制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1767286A
申请号 ：
CN200510118762.2
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
角田笃勇菅原章义
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200510118762.2
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101638248290
IPC(主分类) : H01S 5/22
专利号 : ZL2005101187622
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20141031
号牌文件序号 : 101638248290
IPC(主分类) : H01S 5/22
专利号 : ZL2005101187622
申请日 : 20051031
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20141031
2008-05-28 ：
授权
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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