集成型半导体激光元件及其制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。

基本信息

专利标题：

集成型半导体激光元件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101826703A

申请号：

CN201010164149.5

公开（公告）日：

2010-09-08

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

伊豆博昭山口勤大保广树广山良治畑雅幸太田洁

申请人：

三洋电机株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN201010164149.5

主分类号：

H01S5/40

IPC分类号：

H01S5/40